ток излучения

ток фотосигнала ФЭПП
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Обозначение
I_c
I_S
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• photoelectric signal current

DE

• Photosignalstrom

FR

• courant de signal photoélectrique

62. Ток фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalstrom

E. Photoelectric signal current

F. Courant de signal photoélectrique

I_c

Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

ток коронного разряда газоразрядного счетчика
Значение тока коронного разряда в выходной цепи газоразрядного счетчика при заданном рабочем напряжении в отсутствие источника излучения.
[ ГОСТ 19189-73]

Тематики

• детекторы ионизирующих излучений

EN

• corona discharge current of gas discharge counter

FR

• courant corona du compteur d'ionisation à gaz

темновой ток
Сигнал, возникающий на выходе ПЗС-матрицы при отсутствии падающего света.
[ http://www.vidimost.com/glossary.html]

Тематики

• телевидение, радиовещание, видео

EN

• dark current

темповой ток ФЭПП
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
I_т
I_d
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• dark current

DE

• Dunkelstrom

FR

• courant d’obscurité

58. Темповой ток ФЭПП

D. Dunkelstrom

E. Dark current

F. Courant d'obscurité

I_t

Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

общий ток коллектор-база фототранзистора
Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
I^б_{общ к}
I_{CB H}
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-base total current of a phototransistor

DE

• Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

FR

• courant total collecteur-base de phototransistor

123. Общий ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-base total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-base de phototransistor

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
I^э_{общ к}
I_{CE H}
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-emitter total current of a phototransistor

DE

• Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

FR

• courant total collecteur-émetteur de phototransistor

122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-emitter total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
I^э_{Т К}
I_СEO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-emitter dark current of a phototransistor

DE

• Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

FR

• courant d’obscurité collecteur-émetteur de phototransistor

112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

E. Collector-emitter dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor

Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

темновой ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения
темновой ток ППД
Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора.
[ ГОСТ 18177-81]

Тематики

• детекторы ионизирующих излучений

Обобщающие термины

• основные электрические параметры полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

EN

• leakage current of a semiconductor detector

DE

• Dunkelstrom eines Halbleiterdetektors

FR

• courrant d'obscurité d'un détecteur semi-conducteur

темновой ток эмиттер-база фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
I^б_{Т Э}
I_EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• emitter-base dark current of a phototransistor

DE

• Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

FR

• courant d’obscurité émetteur-base de phototransistor

114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-base dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
I^к_{Т Э}
I_ECO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• emitter-collector dark current of a phototransistor

DE

• Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

FR

• courant d’obscurité émetteur-collecteur de phototransistor

115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-collector dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité émetteur-collecteur de phototransistor

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

общий ток ФЭПП
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока.
Обозначение
I_общ
I_tot
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• total current

DE

• Gesamtstrom

FR

• courant total

полный ток
суммарный ток
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• суммарный ток

EN

• net current
• total current

60. Общий ток ФЭПП

D. Gesamtstrom

E. Total current

F. Courant total

I_общ

Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

фототок
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• light current
• photo current
• photoelectric current
• photocurrent

фототок ФЭПП
Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.
Обозначение
I_ф
I_p
Примечание
Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• photocurrent

DE

• Photostrom

FR

• photocourant

59. Фототек ФЭПП

D. Photostrom

E. Photocurrent

F. Photocourant

I_Ф

Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Collector-base dark current of a photo-transistor

F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

плоский угол зрения ФЭПП
Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня
Обозначение
2ß
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• angular field of view

DE

• Gesichtsfeldwinkel

FR

• angle d'ouverture

89. Плоский угол зрения ФЭПП

D. Gesichtsfeldwinkel

E. Angular field of view

F. Angle d'ouverture

2b

Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

фотоэлектрическая станция
-

EN

• photovoltaic facility
• photovoltaic plant
• photovoltaic power plant

фотоэлектрическая установка
-
[Интент]

Параллельные тексты EN-RU

Photovoltaic plants

A photovoltaic plant permits to convert the energy associated with solar irradiation into electrical energy of direct type; these plants are constituted by panels of semiconducting material, which can generate electrical power once exposed to the rays of the sun.

Photovoltaic plants can be grid-connected or supply a single load (stand alone plant).

In this last case an accumulator battery shall be present to provide power supply in case of lack of solar radiation.

The basic element of a photovoltaic plant is the photovoltaic cell constituted by semiconducting material (amorphous silicon or monocrystalline silicon); this cell, exposed to the rays of the sun, is able to supply a maximum current Impp at a maximum voltage Vmpp, which a maximum power called Wp corresponds to.

More photovoltaic cells are connected in series to form a string to raise the voltage level; by connecting more strings in parallel, the current level is increased.

For example, if a single cell can provide 5A at 35.5 Vd.c., in order to reach the level of 100A at 500 Vd.c., it is necessary to connect 20 strings in parallel, each of them constituted by 15 cells.

Generally speaking, a stand alone photovoltaic plant is constituted by the following devices:
- photovoltaic array: constituted by the photovoltaic cells suitably interconnected and used for the conversion of sunlight energy into electrical energy;
- charge regulator: it is an electronic device able to regulate charging and discharging of accumulators;
- accumulator batteries: they can provide power supply in case of lack of solar radiation;
- DC/AC inverter: it has the function of turning direct current into alternating current by controlling it and stabilizing its frequency and waveform.

The following figure shows the block diagram of a stand alone photovoltaic plant..
[ABB]

Фотоэлектрические установки

Фотоэлектрические установки осуществляют прямое преобразование солнечной энергии в электрическую. Такие установки состоят из панелей полупроводникового материала, вырабатывающего электрическую энергию под воздействием солнечного излучения.

Фотоэлектрические установки являться частью общей энергосистемы или снабжать электроэнергией отдельную нагрузку (автономную установку).

В последнем случае в состав системы должна входить аккумуляторная батарея, обеспечивающая бесперебойную подачу электроэнергии в случае недостаточного солнечного излучения.

Основной частью фотоэлектрической установки являются фотоэлементы, изготовленные из полупроводникового материала (аморфного или монокристаллического кремния). При облучении солнечными лучами фотоэлемент генерирует максимальный ток Iмакс. при максимальном напряжении Uмакс, что соответствует максимальной мощности Wмакс..

Для увеличения выходного напряжения несколько фотоэлементов соединяют последовательно в ряд. Для увеличения тока несколько рядов соединяют параллельно.

Так, например, если один фотоэлемент может произвести ток 5 А при напряжении 35,5 В пост. тока, то для получения источника электроэнергии с током 100 А при напряжении 500 В пост. тока требуется соединить параллельно 20 рядов по 15 фотоэлементов в каждом.

Обычно автономная фотоэлектрическая установка состоит из следующих устройств:
- фотоэлектрическая батарея: состоит из соединенных между собой фотоэлементов, преобразующих солнечную энергию в электрическую;
- регулятор заряда: электронное устройство, предназначенное для регулирования заряда и разряда аккумуляторов;
- аккумуляторная батарея: обеспечивает электропитание нагрузки при недостаточном солнечном излучении.
- инвертор: преобразует постоянный ток в переменный ток стабильной частоты и формы.

На следующем рисунке показана функциональная схема автономной фотоэлектрической установки
[Перевод Интент]

Тематики

• солнечная энергетика

EN

• photovoltaic plant

время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]

время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электросвязь, основные понятия
• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]

Тематики

• системы зажигания автомоб. двигат.

EN

• rise time

FR

• temps de montée en tension

время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
t_нр
t_r
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_нар
t_r
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время нарастания сигнала

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,пнр, t_нр
t_gr, t_r
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• rise time

время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

EN

• rise time

длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время нарастания импульса

EN

• leading edge pulse time
• leading edge time
• pulse leading-edge time
• pulse rise time
• rise time

3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.

Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.

Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа

112. Время нарастания тиристора

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_у,пнр, t_нр

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

Время нарастания импульса

Rise time

t_нр.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время нарастания

Rise time

t_нр

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа